具可变电容调谐器与反馈电路的物理气相沉积

摘要

本申请提供用以在基座所支撑的晶圆上执行等离子体处理的设备及方法。该设备可包括基座、可变电容器、马达、马达控制器以及来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器的电容量，该马达控制器连接至该马达以使该马达旋转，并且来自该可变电容器的输出连接至该基座。该可变电容器的期望状态与工艺控制器中的工艺方法相关。当执行该工艺方法时，该可变电容器处于该期望状态。

主权项

一种物理气相沉积等离子体反应器，包括：腔室，所述腔室包括侧壁及顶壁，所述侧壁连接至RF接地；工件支撑件，所述工件支撑件位于所述腔室内且具有面向所述顶壁的支撑表面及位于所述支撑表面下方的偏压电极；溅射靶材，位于所述顶壁处；第一频率的RF源功率供应器及第二频率的RF偏压功率供应器，所述第一频率的RF源功率供应器耦接至所述溅射靶材且所述第二频率的RF偏压功率供应器耦接至所述偏压电极；第一多频阻抗控制器，所述第一多频阻抗控制器提供具第一组频率的至少第一可调阻抗，所述第一多频阻抗控制器包括可变电容器，能通过马达使所述可变电容器处于两种状态中的至少一种状态，所述可变电容器的所述至少两种状态具有不同电容量，所述第一多频阻抗控制器控制着通过所述溅射靶材与通过所述侧壁的接地阻抗比例；和第二多频阻抗控制器，所述第二多频阻抗控制器提供具第二组频率的至少第二可调阻抗，所述第二多频阻抗控制器控制着通过所述偏压电极与通过所述侧壁的接地阻抗比例。