具有嵌入式空气空隙的氮化镓二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有嵌入式空气空隙的氮化镓二极管和制备方法，其中氮化镓二极管包括蓝宝石底衬、u-GaN层、n-GaN层、有源发光层和p-GaN层；其中蓝宝石底衬的上表面设置有若干图形，所有图形周期性排列分布；在蓝宝石底衬上面每个图形对应处均设有一个向下凹陷的凹孔洞，该凹孔洞使蓝宝石底衬上面与u-GaN层的下表面之间形成空气空隙。同时本发明的方法是用ICP刻蚀或高温混合酸溶液湿法腐蚀蓝宝石底衬上面对应的图形处，使图形对应处向下凹陷形成凹孔洞；并且让GaN外延生长，形成的GaN层与蓝宝石底衬之间形成空气空隙。因此本发明有源发光层发出的光线被空气空隙反射回去，减少了进入蓝宝石底衬的光线，从而增强了氮化镓二极管的发光强度。

主权项

具有嵌入式空气空隙的氮化镓二极管，包括从下至上依次设置的蓝宝石底衬、u‑GaN层、n‑GaN层、有源发光层和p‑GaN层，其特征在于,所述蓝宝石底衬的上表面设置有若干图形，所有所述图形周期性排列分布；在所述蓝宝石底衬上面每个所述图形对应处均设有一个向下凹陷的凹孔洞，所述凹孔洞使所述蓝宝石底衬与所述u‑GaN层的下表面之间形成空气空隙。