发明名称 一种毛细管电泳芯片的高压电源装置
摘要 本实用新型提供了一种毛细管电泳芯片的高压电源装置,其包括继电器阵列装置,以及顺序设置的高压装置、放大滤波电路、模数转换器、微处理器;所述高压装置连接所述继电器阵列装置;所述微处理器设置输入单元以及输出端口。采用上述方案,本实用新型对现有的高压电源装置进行了改进,提供了适用于毛细管电泳芯片的高压电源装置,能够进一步减小体积,提高电压输出的稳定性,具有很高的应用价值。
申请公布号 CN204089598U 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201420674955.0 申请日期 2014.11.12
申请人 许昌学院 发明人 杨飞;杨晓博;李耀辉;蔡子亮;白政民
分类号 H02M3/20(2006.01)I;G01N27/26(2006.01)I 主分类号 H02M3/20(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种毛细管电泳芯片的高压电源装置,其特征在于,包括电源装置保护外壳,设置在保护外壳内的继电器阵列装置,以及通过绝缘导线连接的储能电源模块、高压装置、放大滤波电路、模数转换器、微处理器、电源装置、充电模块、直流升压供电模块、报警模块、系统保护模块、串联的第一碳化硅MOSFET管和第二碳化硅MOSFET管,第一碳化硅MOSFET管的源极与第二碳化硅MOSFET管的漏极相连,第二碳化硅MOSFET管的源极接地;电源装置,其高压端与第一碳化硅MOSFET管的漏极相连,低压端接地;一储能电容,其一端与电源装置的高压端相连,另一端接地;变压器,其初级线圈的一端连接至第一碳化硅MOSFET管的源极和第二碳化硅MOSFET管的漏极之间,另一端接地,其次级线圈的两端构成输出端;第一光电耦合器,其受光器经过第一门驱动器与第一碳化硅MOSFET管的门极相连;和第二光电耦合器,其受光器经过第二门驱动器与第二碳化硅MOSFET管的门极相连;所述高压装置连接所述继电器阵列装置;所述微处理器设置输入单元以及输出端口。
地址 461000 河南省许昌市魏都区八一路88号许昌学院