发明名称 发光二极管封装结构及其制造方法和显示装置
摘要 本发明提供发光二极管封装结构及其制造方法和显示装置。该制造方法包括:提供由至少一基材构成的基板结构;形成第一导电层于基板结构的第一面上;在基板结构上形成多个穿透基板结构的钻孔;形成一黏结层于相对该第一面的一第二面上,以将这些钻孔的一端覆盖住;形成一第二导电层于黏结层上;自该第一面,由这些钻孔的一端内移除部份的黏结层;沉积一金属层于该第一面上,并形成在这些钻孔的内侧壁及底部上;分别图案化第一和第二导电层以形成一电路图案于该第一面及第二面上;封装一发光二极管芯片于该第二面上,并与电路图案电性连接;模铸封胶并覆盖住该第二面;以及沿这些钻孔所构成的封装区域的外缘,切割基板结构以形成发光二极管封装结构。
申请公布号 CN102148312B 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201010119696.1 申请日期 2010.02.05
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 赖律名
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I;G09F9/33(2006.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 任永武
主权项 一种发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于,包括: 提供一基板结构,该基板结构由至少一基材所构成,该基板结构具有一第一导电层设置于一第一面上; 在该基板结构上形成多个钻孔,这些钻孔穿透该基板结构; 形成一黏结层于相对该基板结构的该第一面的一第二面上,以将这些钻孔的一端覆盖住; 形成一第二导电层于该黏结层上; 自该基板结构的该第一面,由这些钻孔的一端内移除部份的该黏结层; 沉积一金属层于该基板结构的第一面上,并形成在这些钻孔的内侧壁及底部上; 分别图案化该第一和第二导电层以形成一电路图案于该基板结构的第一面及该第二面上; 封装一发光二极管芯片于该基板结构的第二面上,并与该电路图案电性连接; 模铸一封胶并覆盖住该基板结构的第二面;以及 沿这些钻孔所构成的一封装区域的外缘,切割该基板结构以形成该发光二极管封装结构。 
地址 中国台湾新北市树林区中华路6之8号