发明名称 |
单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种能够让大面积高结晶性单结晶金刚石生长的,以及可以低成本制造高品质单结晶金刚石基板的单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法。具体地说,本发明提供了一种单晶金刚石生长用基体材料,其特征在于所述基体材料包括:由线膨胀系数比MgO要小,且为0.5×10<sup>-6</sup>/K以上的材料构成的基本基体材料;在所述基本基体材料的使所述单晶金刚石生长侧,用贴合法形成的单晶MgO层;以及在所述单晶MgO上使其异质外延生长的铱膜、铑膜、铂膜的任意一个构成的膜。 |
申请公布号 |
CN102296362B |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN201110177039.7 |
申请日期 |
2011.06.28 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
野口仁;白井省三 |
分类号 |
C30B25/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B25/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
刘丹妮 |
主权项 |
一种单结晶金刚石生长用基体材料,其特征在于所述基体材料包括:由线膨胀系数比MgO要小,且为0.5×10<sup>-6</sup>/K以上的材料构成的基本基体材料;在所述基本基体材料的使所述单结晶金刚石生长侧,通过由使用选自金、铂、钛、铬、铱、铑、硅、二氧化硅的材料形成的0.001~1000μm厚的1层以上的膜构成的中介膜进行贴合的单结晶MgO层;处于所述基体材料和所述单结晶MgO之间的0.001~1000μm厚的所述中介膜;以及在所述单结晶MgO上使其异质外延生长的由铱膜、铑膜以及铂膜的任意一个构成的膜。 |
地址 |
日本东京都 |