| 发明名称 | 一种电容介质沉淀方法 | ||
| 摘要 | 一种电容介质沉淀方法，属于电子制备工艺领域。包括如下步骤：（1）首先在半绝缘的GaAs衬底上通过PECVD方法生长100nmSiN；（2）接着采用电子束蒸发Ti/Pt/Au/Ti多层金属作为电容下电极；（3）电容上电极通过溅射200nmWIi/Au/Ti多层金属来形成；（4）最后电镀Au层对电极进行加厚完成电容制作。通过对优化的HDPCVD淀积工艺进行了电容的制备。对比传统的PECVD工艺，HDPCVD工艺充分体现了低温生长、低漏电、较高击穿场强。本发明所述电容介质沉淀方法操作简单且易于推广。 | ||
| 申请公布号 | CN104269344A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201410408140.2 | 申请日期 | 2014.08.19 |
| 申请人 | 西安三威安防科技有限公司 | 发明人 | 贾卫东;魏军锋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人 | 康凯 |
| 主权项 | 一种电容的介质沉淀方法，其特征在于包括如下步骤：（1）首先在半绝缘的GaAs衬底上通过PECVD方法生长100nmSiN；（2）接着采用电子束蒸发Ti/Pt/Au/Ti多层金属作为电容下电极；（3）电容上电极通过溅射200nmWIi/Au/Ti多层金属来形成；（4）最后电镀Au层对电极进行加厚完成电容制作。 | ||
| 地址 | 710000 陕西省西安市高新区高新一路东侧高新正信大厦B幢24层01号房 | ||