发明名称 蚀刻液及导体图案的形成方法
摘要 本发明提供即使连续或反复使用,也可以一边维持图案的顶部形状一边进行蚀刻的铜的蚀刻液,和使用其的导体图案的形成方法。本发明的蚀刻液的特征为,是含有铜离子源、酸及水的铜蚀刻液,其中,含有唑和芳香族化合物,所述唑仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子,所述芳香族化合物选自酚类和芳香族胺类中的至少一种。另外,本发明的导体图案的形成方法的特征为,使用上述本发明的蚀刻液,将电绝缘件(1)上铜层的未被抗蚀剂(3)覆盖的部分进行蚀刻,形成导体图案(2)。
申请公布号 CN102691064B 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201210179719.7 申请日期 2008.09.02
申请人 MEC股份有限公司 发明人 户田健次;高垣爱
分类号 C23F1/18(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;H05K3/06(2006.01)I 主分类号 C23F1/18(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 苗堃;陈剑华
主权项 蚀刻液,含有铜离子源、酸和水,还含有仅以氮原子作为环内杂原子的唑,以及酚类,所述酚类的浓度范围为0.01~20g/L,所述铜离子源以铜离子浓度计为14~155g/L,所述酸为7~180g/L,所述唑为0.1~50 g/L。
地址 日本兵库县