发明名称 |
低温烧结温度稳定型微波介电陶瓷Bi<sub>14</sub>W<sub>2</sub>O<sub>27</sub>及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低温烧结温度稳定型微波介电陶瓷及其制备方法。低温烧结温度稳定型微波介电陶瓷的组成为Bi<sub>14</sub>W<sub>2</sub>O<sub>27</sub>。(1)将纯度为99.9%以上的Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和WO<sub>3</sub>的原始粉末按Bi<sub>14</sub>W<sub>2</sub>O<sub>27</sub>化学式称量配料。(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时。(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在800~820℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在800~820℃烧结良好,其介电常数达到12~13,品质因数Qf值高达61000-84000GHz,谐振频率温度系数小,且可以与Ag电极低温共烧,在工业上有着极大的应用价值。 |
申请公布号 |
CN103496981B |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN201310444130.X |
申请日期 |
2013.09.26 |
申请人 |
桂林理工大学 |
发明人 |
方亮;郭欢欢;韦珍海 |
分类号 |
H01B3/12(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
H01B3/12(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种复合氧化物作为低温烧结温度稳定型微波介电陶瓷的应用,其特征在于所述复合氧化物的化学组成式为:Bi<sub>14</sub>W<sub>2</sub>O<sub>27</sub> ;所述复合氧化物的制备方法具体步骤为:(1)将纯度为99.9%以上的Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和WO<sub>3</sub>的原始粉末按Bi<sub>14</sub>W<sub>2</sub>O<sub>27</sub>化学式称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在800~820℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总质量的3%。 |
地址 |
541006 广西壮族自治区桂林市雁山区雁山街319号桂林理工大学(雁山校区) |