发明名称 圧電薄膜、圧電素子および圧電素子の製造方法
摘要 Provided are a bismuth-based piezoelectric material whose insulation property is improved while its performance as a piezoelectric body is not impaired, and a piezoelectric device using the piezoelectric material. The piezoelectric material includes a perovskite-type metal oxide represented by the following general formula (1): Bix(Fe1-yCoy)O3&emsp;&emsp;(1) where 0.95&nlE;x&nlE;1.25 and 0&nlE;y&nlE;0.30, and a root mean square roughness Rq (nm) of a surface of the piezoelectric material satisfies a relationship of 0<Rq&nlE;25y+2 (0&nlE;y&nlE;0.30).
申请公布号 JP5649316(B2) 申请公布日期 2015.01.07
申请号 JP20100055055 申请日期 2010.03.11
申请人 キヤノン株式会社;国立大学法人京都大学;独立行政法人産業技術総合研究所 发明人 久保田 純;▲高▼嶋 健二;東 正樹;中村 嘉孝;島川 祐一;飯島 高志;李 鳳淵
分类号 H01L41/187;C04B35/00;H01L41/047;H01L41/09;H01L41/18;H01L41/317;H01L41/39;H01L41/43 主分类号 H01L41/187
代理机构 代理人
主权项
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