发明名称 |
圧電薄膜、圧電素子および圧電素子の製造方法 |
摘要 |
Provided are a bismuth-based piezoelectric material whose insulation property is improved while its performance as a piezoelectric body is not impaired, and a piezoelectric device using the piezoelectric material. The piezoelectric material includes a perovskite-type metal oxide represented by the following general formula (1): Bix(Fe1-yCoy)O3  (1) where 0.95≦̸x≦̸1.25 and 0≦̸y≦̸0.30, and a root mean square roughness Rq (nm) of a surface of the piezoelectric material satisfies a relationship of 0<Rq≦̸25y+2 (0≦̸y≦̸0.30). |
申请公布号 |
JP5649316(B2) |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
JP20100055055 |
申请日期 |
2010.03.11 |
申请人 |
キヤノン株式会社;国立大学法人京都大学;独立行政法人産業技術総合研究所 |
发明人 |
久保田 純;▲高▼嶋 健二;東 正樹;中村 嘉孝;島川 祐一;飯島 高志;李 鳳淵 |
分类号 |
H01L41/187;C04B35/00;H01L41/047;H01L41/09;H01L41/18;H01L41/317;H01L41/39;H01L41/43 |
主分类号 |
H01L41/187 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|