一种激光器及其制作方法

摘要

本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括：N型砷化镓衬底；N型覆盖层，制作N型砷化镓衬底正面；第一超晶格层，制作在N型覆盖层上；N型波导层，制作在超晶格层上；有源层，制作在N型波导层上；P型波导层，制作在有源层上；第二超晶格层，制作在P型波导层上；P型覆盖层，制作在超晶格层上；P型欧姆接触层，制作在P型覆盖层上；P型欧姆电极，制作在P型欧姆接触层上；N型欧姆电极，制作在N型砷化镓衬底(10)背面。本发明中本发明利用超晶格层不仅能提供低折射率势垒，而且具有高的载流子输运的能力，使激光器同时具有低阈值电流、低垂直发散角以及高的载流子输运的能力。

主权项

一种激光器，其特征在于，包括：N型砷化镓衬底(10)；N型覆盖层(11)，该N型覆盖层(11)制作N型砷化镓衬底(10)正面；第一超晶格层12，该超晶格层(12)制作在N型覆盖层(11)上；N型波导层(13)，该N型波导层(13)制作在超晶格层(12)上；有源层(14)，该有源层(14)制作在N型波导层(13)上；P型波导层(15)，该P型波导层(15)制作在有源层(14)上；第二超晶格层(16)，该超晶格层(16)制作在P型波导层(15)上；P型覆盖层(17)，该P型覆盖层(17)制作在超晶格层(16)上；P型欧姆接触层(18)，该P型欧姆接触层(18)制作在P型覆盖层(17)上；P型欧姆电极(19)，该P型欧姆电极(19)制作在P型欧姆接触层(18)上；N型欧姆电极(20)，该N型欧姆电极(20)制作在N型砷化镓衬底(10)背面。