发明名称 处理粗三氯氢硅的方法和系统
摘要 本发明公开了一种处理粗三氯氢硅的方法和系统,该方法包括:(1)将粗三氯氢硅进行气提处理,得到混合物;(2)将混合物进行第一提纯处理,得到第一塔顶气和第一塔底液;(3)将第一塔顶气进行第二提纯处理,得到第二塔顶气和第二塔底液;(4)将第一塔底液与第二塔顶气进行混合处理,得到混合物料;(5)在负载的离子交换树脂存在下,将混合物料进行反歧化处理;(6)将反歧化产物进行第三提纯处理,得到第三塔底液;(7)将第二塔底液和第三塔底液进行第四提纯处理,得到三氯氢硅和第四塔底液,并将第四塔底液返回进行第一提纯处理。该方法可以有效解决粗三氯氢硅中二氯二氢硅和四氯化硅的富集问题,并且可以显著提高三氯氢硅质量。
申请公布号 CN104261412A 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201410464371.5 申请日期 2014.09.12
申请人 国电内蒙古晶阳能源有限公司 发明人 李锋;王利强;张艳春;王洪光;欧昌洪;濮希杰;彭述才;白竟超
分类号 C01B33/107(2006.01)I 主分类号 C01B33/107(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 李志东
主权项 一种处理粗三氯氢硅的方法,所述粗三氯氢硅含有二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅和含有硼磷元素的杂质,其特征在于,包括:(1)将所述粗三氯氢硅进行气提处理,以便得到含有二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅的混合物;(2)将所述含有二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅的混合物进行第一提纯处理,以便得到第一塔顶气和第一塔底液,其中,所述第一塔顶气含有二氯二氢硅和三氯化硅,所述第一塔底液含有四氯化硅;(3)将所述第一塔顶气进行第二提纯处理,以便得到第二塔顶气和第二塔底液,其中,所述第二塔顶气含有二氯二氢硅,所述第二塔底液含有三氯化硅;(4)将所述第一塔底液与所述第二塔顶气进行混合处理,以便得到含有二氯二氢硅和四氯化硅的混合物料;(5)在负载的离子交换树脂存在下,将所述含有二氯二氢硅和四氯化硅的混合物料在反歧化反应器中进行反歧化处理,以便得到反歧化产物;(6)将所述反歧化产物进行第三提纯处理,以便得到第三塔底液,其中,所述第三塔底液含有三氯氢硅;以及(7)将所述第二塔底液和所述第三塔底液进行第四提纯处理,以便得到三氯氢硅和第四塔底液,并将所述第四塔底液返回进行所述第一提纯处理。
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