发明名称 |
基于聚苯砜的阴离子交换膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于聚苯砜的阴离子交换膜及其制备方法,特征是将聚苯砜进行卤甲基化改性,得到卤甲基化程度为10~200%的卤甲基化聚苯砜。将卤甲基化聚苯砜溶解于有机溶剂中配制成溶液,然后将溶剂完全挥发或部分挥发后浸入沉淀剂中制得基膜,然后将基膜浸泡于有机胺溶液中进行胺化处理,得到聚苯砜阴离子交换膜,所制备的均相阴离子交换膜具有较高的离子交换容量,适当的含水量,优良的阻隔钒离子交叉渗透的能力,在全钒液流电池中具有很好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN104262660A |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN201410455699.0 |
申请日期 |
2014.09.09 |
申请人 |
沈阳化工大学 |
发明人 |
姚方勃;张本贵;张恩磊;王国胜;宁志高 |
分类号 |
C08J5/22(2006.01)I;C08G75/20(2006.01)I;H01M8/02(2006.01)I;H01M2/16(2006.01)I |
主分类号 |
C08J5/22(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳技联专利代理有限公司 21205 |
代理人 |
张志刚 |
主权项 |
基于聚苯砜的阴离子交换膜,其特征在于,所述交换膜包括聚苯砜的聚合物分子链含有如下结构:<img file="dest_path_re-dest_path_image001.GIF" wi="292" he="64" />。 |
地址 |
110142 辽宁省沈阳市经济技术开发区11号 |