发明名称 一种机械强度增强的多孔SiO<sub>2</sub>:F薄膜的制备方法
摘要 本发明涉及一种机械强度增强的多孔SiO<sub>2</sub>:F薄膜的制备方法,采用溶胶-凝胶结合旋涂工艺制备多孔SiO<sub>2</sub>:F薄膜,以正硅酸乙酯(tetraethylorthosilicate,TEOS)为前驱体,四氢呋喃(THF)为溶剂,碳纳米管(CNTs)和氢氟酸(HF)为掺杂剂制备了多孔SiO<sub>2</sub>:F薄膜。高机械强度的CNTs掺入可以提高薄膜的硬度和弹性模量。
申请公布号 CN104269345A 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201410454863.6 申请日期 2014.09.09
申请人 重庆理工大学 发明人 刘雪芹;何孝金
分类号 H01L21/02(2006.01)I;B05D1/28(2006.01)I;B05D3/00(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;C01B33/12(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人 汤东凤
主权项 一种机械强度增强的多孔SiO<sub>2</sub>:F薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一,溶胶配制:把0.08‑0.12mg的CNTs放在15‑30mlTHF(四氢呋喃)溶剂中,超声2‑5h,得到处理好后的含CNTs溶剂;把正硅酸乙酯、含CNTs溶剂、水、HF酸以1‑2:5‑7:1‑4:0.02摩尔比混合,在室温下用磁力搅拌器搅拌8‑10小时,让TEOS充分水解,得到均匀的溶胶,步骤二,旋涂制膜:当溶胶粘度系数达到10cp左右时,在1cm×1cm的清洗过的硅片上旋转涂敷制膜,溶胶旋涂转速为3000rpm,旋涂时间为30s,步骤三,后期热处理:在Ar气氛中退火2‑5h,退火温度为400‑480℃,获得多孔SiO<sub>2</sub>:F薄膜,制备的含CNTs多孔SiO<sub>2</sub>:F薄膜中CNTs的含量大约为10<sup>‑5</sup>(质量分数)级。
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