发明名称 | 利用低频电磁波制备石墨烯的方法 | ||
摘要 | 本发明是有关于一种石墨烯的制备方法,包括步骤:(A)提供一基板;(B)形成一金属层于该基板上;(C)提供一碳源,用以形成一含碳层,其位于该金属层上;以及(D)利用低频电磁波处理该金属层表面上的该含碳层。其中,该低频电磁波是由一微波场装置提供,由微波吸收子(例如,SiC)为媒介将该微波场装置所含的电磁能转换成热能量,以直接加热该含碳层,使含碳层的碳原子获得动能后于该金属层的表面及该金属层与该基板之间成长出石墨烯层。 | ||
申请公布号 | CN103241729B | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
申请号 | CN201210055665.3 | 申请日期 | 2012.03.06 |
申请人 | 阙郁伦 | 发明人 | 阙郁伦;颜文群;林宏桥 |
分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周长兴 |
主权项 | 一种石墨烯的制备方法,包括步骤:(A)提供一基板;(B)形成一金属层于该基板上;(C)提供一碳源,用以形成一含碳层,其位于该金属层上;以及(D)利用低频电磁波处理该金属层表面上的该含碳层,该低频电磁波的功率为200瓦至1200瓦;其中,该低频电磁波由一微波场装置提供,由微波吸收子为媒介将该微波场装置所含的电磁能转换成热能量,以直接加热该含碳层,使该含碳层的一碳原子获得动能后于该金属层的表面及该金属层与该基板之间成长出石墨烯层。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |