| 发明名称 | 抗干扰的锰铜分流器 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够有效减小外界磁场干扰的锰铜分流器，包括两侧的导电片和锰铜采样片，锰铜采样片的两端分别设有用于连接采样线的接线柱，锰铜采样片的两端分别与两侧的导电片相连接，锰铜采样片具有在空间中呈两两相垂直的三个基准面，锰铜采样片两端呈以一个基准面为中心的两侧对称分布，锰铜采样片在该中心基准面上的投影面积大于锰铜采样片在另两个基准面上的投影面积。 | ||
| 申请公布号 | CN103076475B | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201310008123.5 | 申请日期 | 2013.01.10 |
| 申请人 | 浙江力辉电器有限公司 | 发明人 | 万晓东;张自有 |
| 分类号 | G01R11/02(2006.01)I | 主分类号 | G01R11/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 温州高翔专利事务所 33205 | 代理人 | 黄乙轶 |
| 主权项 | 一种抗干扰的锰铜分流器，包括两侧的导电片（2）和锰铜采样片（1），锰铜采样片（1）的两端分别设有用于连接采样线的接线柱（19），锰铜采样片（1）的两端分别与两侧的导电片（2）相连接，其特征在于：锰铜采样片（1）具有在空间中呈两两相垂直的三个基准面，所述三个基准面分别是侧基准面（a）、横基准面（b）以及纵基准面（c），锰铜采样片（1）两端呈以侧基准面（a）为中心的两侧对称分布，锰铜采样片（1）在侧基准面（a）上的投影面积大于锰铜采样片（1）在横基准面（b）上的投影面积，锰铜采样片（1）在横基准面（b）上的投影面积大于在纵基准面（c）上的投影面积。 | ||
| 地址 | 325609 浙江省温州市乐清市蒲岐镇特色工业区 | ||