发明名称 |
一种大尺寸方形蓝宝石晶体生长方法 |
摘要 |
本发明涉及一种大尺寸方形蓝宝石晶体的生长方法,晶体最大边长达320mm×320mm。采用99.999wt%的高纯氧化铝,放置在钨坩埚内,安装钨加热器及钨钼保温材料,钨钼保温材料形状为方形,加热器为方形,坩埚为方形。本发明生长方形蓝宝石晶锭,提高了材料利用率,如100Kg级蓝宝石晶锭掏取苹果5S机型屏幕用方形晶棒,材料利用率可达60%~70%,降低生产成本达20%~30%。 |
申请公布号 |
CN104264224A |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN201410481654.0 |
申请日期 |
2014.09.19 |
申请人 |
天通控股股份有限公司 |
发明人 |
樊志远;段金柱;王勤峰;赵杰红;蔡建华;徐秋峰;段斌斌 |
分类号 |
C30B29/20(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/20(2006.01)I |
代理机构 |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 |
代理人 |
吴关炳 |
主权项 |
一种大尺寸方形蓝宝石晶体生长方法,采用99.999wt%的高纯氧化铝,放置在钨坩埚内,安装钨加热器及钨钼保温材料,安装好测温热电偶,封闭炉腔并装好摄像头,启动监视器及记录仪,在自动控制程序中设置加热程序,抽真空,真空度达到10<sup>‑4</sup>Pa,升温速率为200℃/h;升温对氧化铝原料进行熔化,借助于红外测温仪,将液面温度控制在2050℃~2070℃之间,液面对流线清晰均匀,并达到稳定状态;将籽晶缓慢下降,Touch液面;快速提拉生长颈部;缓慢提拉生长肩部;微提拉生长等径部,至长晶完成;进行降温,取出晶体;将晶体加工成片,使用KOH腐蚀,采用X射线<b>TOPO GRAPHY</b><b>、</b>显微镜、扫描电镜和分光光度计测试晶体的位错密度、透光性及单晶性;其特征在于:所述的钨钼保温材料形状为方形,加热器为方形,坩埚为方形。 |
地址 |
314412 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号 |