| 发明名称 | 改善HCD氮化硅沉积工艺的应力缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，包括：进行干法净化步骤，对所述晶舟进行净化清洁；在所述晶舟表面沉积TEOS缓冲层；在所述TEOS缓冲层上沉积DCS SIN层。本发明改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，有效解决了HCD氮化硅工艺的应力和石英晶舟的裂缝问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104269351A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201410520740.8 | 申请日期 | 2014.09.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 张召;王智;苏俊铭;倪立华 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种用于改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，其特征在于，包括：进行干法净化步骤，对所述晶舟进行净化清洁；在所述晶舟表面沉积TEOS缓冲层；在所述TEOS缓冲层上预沉积DCS SIN层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||