发明名称 |
GaAs基混频肖特基二极管毫米波及太赫兹频段建模方法 |
摘要 |
本发明公开了一种GaAs基混频肖特基二极管毫米波及太赫兹频段建模方法,涉及二极管建模技术领域。利用基于测量的经验公式描述混频肖特基二极管结的非线性结特性,即利用热电子发射模型对二极管结进行公式描述;通过建立GaAs基混频肖特基二极管的三维电磁模型,利用商用高频结构仿真软件HFSS获得寄生参量在毫米波及太赫兹频段的S参数;最终在电路仿真软件例如ADS中建立GaAs基混频肖特基二极管对应的电路级模型;通过将建立的模型和实际封装测试的二极管S参数进行对比,然后修正其中的二极管结的经验公式,最终获得GaAs基混频肖特基二极管在毫米波及太赫兹频段的精准模型。 |
申请公布号 |
CN104268355A |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN201410534114.4 |
申请日期 |
2014.10.11 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十三研究所 |
发明人 |
王俊龙;杨大宝;邢东;梁士雄;张立森;赵向阳;冯志红 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄国为知识产权事务所 13120 |
代理人 |
米文智 |
主权项 |
一种GaAs基混频肖特基二极管毫米波及太赫兹频段建模方法,其特征在于包括以下步骤:第一步,根据GaAs基混频肖特基二极管的设计版图中的阳极尺寸,并测试实际流片过程中的阳极尺寸,以扫描电镜测试的阳极尺寸为准,结合经验公式计算GaAs基混频肖特基二极管的结电容<img file="633175dest_path_image001.GIF" wi="26" he="26" />;第二步,对加工完成的GaAs基混频肖特基二极管进行直流测试,根据测得的电流、电压数据,计算GaAs基混频肖特基二极管的串联电阻Rs,饱和电流Is,以及理想因子n,结合结电容<img file="550315dest_path_image001.GIF" wi="26" he="26" />,在ADS中建立起肖特基二极管的非线性结模型;第三步,建立肖特基二极管的三维电磁模型,在高频结构仿真软件HFSS中建立GaAs基混频肖特基二极管的高频仿真结构模型;第四步,将GaAs基混频肖特基二极管倒装焊接在石英电路上,通过矢量网络分析仪测试GaAs基混频肖特基二极管在毫米波及太赫兹频段的S参数;在第三步建立的GaAs基混频肖特基二极管三维电磁模型的基础上,在HFSS中建立包含导电胶模型和外围石英电路的三维电磁模型,并在HFSS中抽取GaAs基混频肖特基二极管寄生参量及外围电路的S参数包;第五步,修正建立的GaAs基混频肖特基二极管非线性结模型,主要是修正GaAs基混频肖特基二极管在毫米波及太赫兹频段的串联电阻Rs和结电容<img file="893834dest_path_image001.GIF" wi="26" he="26" />。 |
地址 |
050051 河北省石家庄市合作路113号 |