一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，包括镀氮化硅减反射膜工序，还含有以下工序：采用激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽，再经后续含印刷正面银电极、背面银电极和背电场工序，烧结后获得具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池。该方法能够克服银浆与氮化硅需要发生反应才能穿透SiNx层的缺陷，通过简化银浆制备工艺，简化银浆的配方，并降低银浆使用量从而减少制备太阳电池的成本。

主权项

一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，包括镀氮化硅减反射膜工序，其特征是还含有以下工序：采用激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽，再经后续含印刷正面银电极、背面银电极和背电场工序，烧结后获得具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池；采用激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽，槽的宽度与主栅线银电极或细栅线银电极的宽度相适配；采用激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽的深度为进入发射区深度的300~1000nm。