用于半导体衬底上的大面积的基于氮化镓或其它氮化物的结构的应力补偿

摘要

本发明涉及一种方法，其包括在衬底(102)上形成(402)应力补偿堆叠(104)，其中所述应力补偿堆叠具有所述衬底上的压应力。所述方法还包括在所述衬底上形成(406)一个或一个以上III族氮化物岛状物(106)，其中所述一个或一个以上III族氮化物岛状物具有所述衬底上的张应力。所述方法进一步包括使用来自所述应力补偿堆叠的所述压应力来至少部分地抵消(408)来自所述一个或一个以上III族氮化物岛状物的张应力。形成所述应力补偿堆叠可包括在所述衬底上形成一个或一个以上氧化物层(202、206)及一个或一个以上氮化物层(204)。所述一个或一个以上氧化物层可具有压应力，所述一个或一个以上氮化物层可具有张应力，且所述氧化物及氮化物层可共同地具有压应力。所述氧化物层及氮化物层的厚度可经选择以提供所要量的应力补偿。

主权项

一种应力补偿的方法，其包含：在衬底上形成一个或多个III族氮化物岛状物，所述一个或多个III族氮化物岛状物具有所述衬底上的张应力；在所述衬底上形成应力补偿堆叠，所述应力补偿堆叠具有所述衬底上的压应力；及使用来自所述应力补偿堆叠的所述压应力来至少部分地抵消来自所述一个或多个III族氮化物岛状物的所述张应力；其中，形成所述应力补偿堆叠包含在所述衬底上形成一个或多个氧化物层及一个或多个氮化物层；所述一个或多个氧化物层具有压应力；所述一个或多个氮化物层具有张应力；且所述氧化物层及氮化物层共同地具有压应力。