半导体存储器件

摘要

本发明提供一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括分别设置在形成于有源部分和器件隔离图案中的凹槽的两个内侧壁上的第一掩埋栅和第二掩埋栅。第一掩埋栅和第二掩埋栅彼此独立地受控。

主权项

半导体存储器件，包括：器件隔离图案，形成在基板中以限定在第一方向上延伸的有源部分；第一掩埋栅和第二掩埋栅，用作控制栅，并分别设置在形成在所述有源部分和所述器件隔离图案中的凹槽的第一内侧壁和第二内侧壁上，所述凹槽在不与所述第一方向平行的第二方向上延伸，所述第一掩埋栅和所述第二掩埋栅彼此独立地受控；栅电介质膜，分别插置在所述第一掩埋栅与所述凹槽的所述第一内侧壁之间以及在所述第二掩埋栅与所述凹槽的所述第二内侧壁之间；第一掺杂区和第二掺杂区，分别形成在所述凹槽的两侧上的所述有源部分的上部中；以及公共掺杂区，形成在所述凹槽的底表面下面的所述有源部分中。