发明名称 一种用于杆控微波管的阴极及其制备方法
摘要 本发明公开了一种用于杆控微波管的阴极及其制备方法,阴极包括阴极发射体(1)和阴极钼筒(2),阴极发射体为由钨基底和阴极盐组成,阴极钼筒作为阴极发射体的支撑,阴极发射体可完全位于阴极钼筒内圆周上,也可局部突出于阴极钼筒;阴极钼筒(2)的阴极发射面呈平面或者是球状面,且阴极发射面上设有一层锇铱铝膜,锇铱铝膜的厚度为0.3微米-0.6微米,阴极发射体1)上设有通孔。具有上述特殊结构的该种用于杆控微波管的阴极发射电流密度大,并且是端面发射,阴极体中心开了通孔,满足了采用杆控技术微波管对阴极的特殊需求。
申请公布号 CN102637565B 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201210090785.7 申请日期 2012.03.30
申请人 安徽华东光电技术研究所 发明人 吴华夏;邓清东;贺兆昌;宋田英;张丽
分类号 H01J23/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I 主分类号 H01J23/04(2006.01)I
代理机构 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人 张小虹
主权项 一种用于杆控微波管的阴极的制备方法,其特征在于:所述的阴极包括阴极发射体(1)和阴极钼筒(2),阴极发射体(1)为由钨基底和阴极盐组成,阴极钼筒(2)作为阴极发射体的支撑,阴极发射体(1)可完全位于阴极钼筒(2)内圆周上,也可局部突出于阴极钼筒(2);所述的阴极发射体(1)的发射面呈平面或者是球状面,且阴极发射面上设有一层贵金属镀膜,阴极发射体(1)上设有通孔;所述的制备方法是,1)当为阴极体尺寸小、阴极钼筒(2)形状简单的阴极时,将适量钨粉压进阴极钼筒(2)中,控制钨基底的孔隙度为18%‑35%;2)在氢气气氛中浸渍阴极盐,且阴极盐采用2.4BaO:0.6CaO:1Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,并在1800℃‑1850℃温度下保温40s‑60s;3)加工几何尺寸,根据需要将阴极发射面加工成平面发射面或者是球状发射面;4)在阴极发射体(1)的中心处加工出通孔;5)对阴极发射体(1)的表面进行离子清洗,并覆上一层0.3微米‑0.6 微米厚度的锇铱铝膜。
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