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发明名称
厚い金属層を有する半導体発光デバイス
摘要
本発明の実施形態に係るデバイスは、n型領域とp型領域との間に挟まれた発光層と、n型領域に直接接触する第1金属コンタクト及びp型領域に直接接触する第2金属コンタクトとを含む。第1及び第2金属コンタクト上には、第1及び第2金属層がそれぞれ配置される。第1及び第2金属層は、半導体構造体を機械的に支持するのに十分な厚さを有する。第1又は第2金属層と隣接するデバイスの側壁の一部は、反射性を有する。
申请公布号
JP2015500567(A)
申请公布日期
2015.01.05
申请号
JP20140545406
申请日期
2012.11.30
申请人
コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
发明人
デ サンバー マーク アンドレ
分类号
H01L33/48;H01L33/38
主分类号
H01L33/48
代理机构
代理人
主权项
地址
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