具金属掺杂电阻式切换层之电阻式随机存取记忆体装置的制造方法;METHOD OF MAKING RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH METAL-DOPED RESISTIVE SWITCHING LAYER

摘要

揭露一种用于形成电阻式随机存取记忆体(RRAM)装置的方法。所述方法包括：形成第一电极；藉由热原子层沉积(ALD)而形成包括金属氧化物的电阻式切换氧化物层；以与形成金属氧化物的金属不同的金属掺质来对电阻式切换氧化物层进行掺杂；以及藉由热原子层沉积(ALD)而形成第二电极，其中电阻式切换层插置于第一电极与第二电极之间。在一些实施例中，形成电阻式切换氧化物可在沉积金属氧化物之后不将切换氧化物层的表面暴露于表面改质电浆处理的情况下进行。