发明名称 具有进气挡板之有机金属化学气相沉积进气扩散系统;MOCVD GAS DIFFUSION SYSTEM WITH AIR INLET BAFFLES
摘要 本发明为一种具有进气挡板之有机金属化学气相沉积进气扩散系统,其系于反应腔体内的有机金属气体进气口与氢化物气体气口下方结合复数个可拆卸挡板,简单、快速的在进行有机金属化学气相沉积(MOCVD)制程时,阻隔有机金属气体及氢化物气体刚进入反应腔体时产生混合,并避免有机金属气体及氢化物气体发生预反应的产生,降低有机金属气体及氢化物气体之预反应,达到有效避免于进气口附近产生沉积、使半导体结晶薄膜可以均匀的扩散沉积于晶圆载台上之复数个晶圆表面、以及减少有机金属气体的使用量等功效。以此种进气扩散系统进行有机金属化学气相沉积制程,在高效能发光二极体磊晶之制造上具有非常大的应用潜力。
申请公布号 TW201500575 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW102122802 申请日期 2013.06.26
申请人 国立中央大学 发明人 萧述三;廖俊忠;庄子庆;陈志臣
分类号 C23C16/455(2006.01) 主分类号 C23C16/455(2006.01)
代理机构 代理人 傅尹坤
主权项
地址 桃园县中坜市中大路300号