发明名称 半导体装置的制造方法及半导体装置
摘要 关于本发明的一实施例之半导体装置的制造方法,系包含将分别搭载有半导体晶片之复数基板,以复数基板相互离开之方式利用封止树脂覆盖的工程,及切断复数基板之间的封止树脂的工程之方法。
申请公布号 TWI467669 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW100105095 申请日期 2011.02.16
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 饭嶋利恒
分类号 H01L21/56;H01L21/304 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置的制造方法,其特征为具备:将分别搭载有半导体晶片的复数基板,以所定间隔来贴合于支持体的工程;以覆盖前述复数基板及复数前述半导体晶片之方式,于前述支持体形成封止树脂的工程;于前述封止树脂,以电性连接于各别之前述半导体晶片之方式形成配线图案的工程;以于包含前述配线图案之前述封止树脂,前述配线图案的一部份露出之方式形成配线保护膜的工程;以接触从前述配线保护膜露出之前述配线图案之方式,形成外部电极的工程;切断前述封止树脂及前述配线保护膜的工程;及从前述支持体剥离被前述封止树脂覆盖之前述半导体晶片及前述基板的工程。
地址 日本