| 发明名称 |
ＥＵＶ微影术用光学构件 |
| 摘要 |
本发明系提供经抑制因Ru保护层遭氧化而造成反射率降低的EUV光学构件、及该EUV光学构件制造时所使用的附反射膜基板。;本发明的EUV微影术用附反射层基板，系在基板上依序形成有反射EUV光的反射层及保护该反射层的保护层者，其特征在于：前述反射层系Mo/Si多层反射膜；前述保护层系从前述反射层之侧依序积层有3层构造：由Ru层或Ru化合物层构成的第1层、由Mo层构成的第2层、以及由Ru层或Ru化合物层构成的第3层。 |
| 申请公布号 |
TWI467317 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
| 申请号 |
TW099143003 |
申请日期 |
2010.12.09 |
| 申请人 |
旭硝子股份有限公司 日本 |
发明人 |
三上正树 |
| 分类号 |
G03F1/22 |
主分类号 |
G03F1/22 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种EUV微影术用附反射层基板，系在基板上依序形成有反射EUV光的反射层及保护该反射层的保护层者，其特征在于：前述反射层系Mo/Si多层反射膜；前述保护层系从前述反射层之侧依序积层有3层构造：由Ru层或Ru化合物层构成的第1层、由Mo层构成的第2层、以及由Ru层或Ru化合物层构成的第3层。 |
| 地址 |
日本 |
