具有包含ＩｎＧａＮ之作用区域之半导体结构、形成此等半导体结构之方法及由此等半导体结构所形成之发光装置;SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING ACTIVE REGIONS COMPRISING INGAN, METHODS OF FORMING SUCH SEMICONDUCTOR STRUCTURES, AND LIGHT EMITTING DEVICES FORMED FROM SUCH SEMICONDUCTOR STRUCTURES

摘要

本发明提供半导体结构，其包括介于复数个InGaN层之间的作用区域。该作用区域可至少实质上包含InGaN。复数个InGaN层包括至少一个含有InwGa1-wN的井层，及至少一个含有InbGa1-bN、紧邻该至少一个井层的障壁层。在一些实施例中，该井层之InwGa1-wN中之w值可大于或等于约0.10且在一些实施例中可小于或等于约0.40，且该至少一个障壁层之InbGa1-bN中之b值可大于或等于约0.01且小于或等于约0.10。形成半导体结构之方法包括使此等InGaN层生长以形成诸如LED之发光装置的作用区域。发光体装置包括此等LED。