| 摘要 |
在某些实施例中，将特征蚀刻至基板中的方法可包括使在基板上配置有光阻层的基板暴露于第一处理气体，藉以在形成于该光阻层中的特征之底部与侧壁上形成含聚合物层，其中第一处理气体是经由配置在处理腔室内的第一组气体喷嘴而选择性地供应至该基板的第一区域；及使该基板暴露于实质无氧的第二处理气体以将该特征蚀刻至该基板中，其中该第二处理气体是经由配置在该处理腔室内的第二组气体喷嘴而选择性地供应至该基板的第二区域。; exposing the substrate to a second process gas having substantially no oxygen to etch the feature into the substrate, wherein the second process gas is selectively provided to a second area of the substrate via a second set of gas nozzles disposed in the process chamber. |
