发明名称 用于EUV微影之PECVD膜;PECVD FILMS FOR EUV LITHOGRAPHY
摘要 本文中提供一种用于极紫外线微影的多层堆叠体,该多层堆叠体被特制用以达成最佳的蚀刻反差以缩小特征部并使特征部的边缘平滑化,同时赋予使用光学水平感测器的能力而只会有很少或减少的错误。该多层堆叠体可具有介于待图案化的目标层与光阻之间的一原子级平滑层及一或更多下层, 其中该原子级平滑层具有小于一单分子层的一平均局部粗糙度。亦提供在极紫外线微影中使用之多层堆叠体的沉积方法。
申请公布号 TW201501179 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW103106336 申请日期 2014.02.25
申请人 兰姆研究公司 发明人 莎玛 纳德;茂希尔 汤玛士;许篓瑟 唐纳德
分类号 H01L21/205(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 许峻荣
主权项
地址 美国