| 摘要 |
即使变更从气体导入口被供给至反应容器内之气体流量，亦不用更换上圆顶，在半导体晶圆上生长均匀厚度的磊晶膜。在具有朝下方隆起的上圆顶(17)和保持该圆顶之上圆顶用凸缘(18)的反应容器(12)内之承载器(13)，载置半导体晶圆(11)之状态下，从较上述凸缘下方的气体导入口(14a)导入气体至反应容器内而使磊晶膜在晶圆上生长，并且从较上述凸缘下方的气体排出口(14b)排出剩下的气体。使上圆顶之最下面位于较上述凸缘之下面的延长面更上方，将上圆顶之曲率半径R设定成4500~6000mm，并且将上圆顶最上面和上述凸缘下面之延长面的距离设定成1.0~3.5mm。 |
