蚀刻方法、用于其的蚀刻液、蚀刻液套组以及半导体基板制品的制造方法;ETCHING METHOD, ETCHANT USED THEREOF, ETCHANT KIT, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT

摘要

本发明提供一种半导体基板的蚀刻方法，其是对具有第一层及第二层的半导体基板选择性地去除第二层的蚀刻方法，其中所述第一层包含锗(Ge)，所述第二层包含选自镍铂(NiPt)、钛(Ti)、镍(Ni)及钴(Co)中的至少1种特定金属元素，并且所述半导体基板的蚀刻方法是使包含非卤素酸性化合物的蚀刻液与第二层接触而去除第二层。