电浆处理装置

摘要

本发明提供一种电浆处理装置，上部电极系设置于真空室内。下部电极系相对上部电极位置，而设置于真空室中，下部电极上系用以放置半导体晶圆。第一层板系设置于上部电极与下部电极之间，第一层板系具有复数个第一孔洞。第二层板系设置于第一层板与下部电极之间，第二层板系具有复数个第二孔洞。真空室内部系具有真空状态，高频电力提供于上部电极与下部电极，并于上部电极以及第三层板之间系产生电浆，电浆系依序通过第三孔洞、第一孔洞以及第二孔洞，以过滤电浆，并以过滤之电浆对半导体晶圆进行处理。

主权项

一种电浆处理装置，包含：一真空室；一上部电极，系设置于该真空室内；一下部电极，系相对该上部电极位置，而设置于该真空室中，该下部电极上系用以放置一半导体晶圆，该下部电极系利用一温度调节单元以维持一预定温度，其中该温度调节单元包含：一加热单元；以及一温度量测单元；一高频电源单元，用以提供一高频电力于该真空室内之该上部电极与该下部电极；一第一层板，系设置于该上部电极与该下部电极之间，该第一层板系具有复数个第一孔洞，该第一孔洞相对于该第一层板之开口率的范围系介于25%至75%；一第二层板，系设置于该第一层板与该下部电极之间，该第二层板系具有复数个第二孔洞，该第二孔洞相对于该第二层板之开口率为系25%至75%；以及一第三层板，系设置于该第一层板相对于该上部电极之表面，该第三层板具有复数个第三孔洞，该第三孔洞系对应该等第一孔洞设置，该第三孔洞相对于该第三层板之开口率为系25%至75%；其中该真空室内部系具有一真空状态，该上部电极以及该第三层板之间系产生一电浆，该电浆系依序通过该第三孔洞、该第一孔洞以及该第二孔洞，以过滤该电浆，并以过滤之该电浆对该半导体晶圆进行处理。