发明名称 微电子封装组件及其制造方法
摘要 一种微电子封装组件,包括基板(110)、被嵌入于此基板内的晶粒(120),此晶粒具有前侧(121)与后侧(122),及矽穿孔(123)于其中、被堆积于此晶粒的此前侧之上的增层(130)、以及与此晶粒的此后侧实体接触的电源平面(140)。在另一个实施例中,此微电子封装组件包含基板(210)、被嵌入于此基板中,且具有前侧(221,261)与后侧(222,262),及矽穿孔(223,263)于其中之第一晶粒(220)和第二晶粒(260)、在第一晶粒和第二晶粒的此等前侧之上的增层(230)、以及与第一晶粒和第二晶粒的此等后侧实体接触的导电结构(240)。
申请公布号 TWI467674 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW100122822 申请日期 2011.06.29
申请人 英特尔股份有限公司 美国 发明人 纳拉 瑞维;玛努雪若 马修;迪蓝倪 德鲁
分类号 H01L21/60;H01L23/488 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种微电子封装组件,包含:基板;晶粒,被嵌入于该基板内,该晶粒具有前侧及相对的后侧,且另具有至少一个矽穿孔于其中;复数个增层,与该晶粒的该前侧相邻,且被堆积于该晶粒的该前侧之上;以及电源平面,与该晶粒的该后侧相邻且实体相接触。
地址 美国