以锗为基础之量子井装置

摘要

量子井电晶体具有锗量子井通道区。含矽的蚀刻停止层提供靠近此通道的闸极介电质之简易配置。III-V族位障层施加应变于此通道。在此通道区之上及之下的渐变锗化矽层改善性能。多种闸极介电质材料允许高k值闸极介电质的使用。

主权项

一种量子井装置，包含：下层位障区，包含大的带隙材料；量子井通道区，在该下层位障区上，该量子井通道区包含锗；上层位障区，在该量子井通道区上，该上层位障区包含大的带隙材料；间隙壁区，在该量子井通道区上；蚀刻停止区，在该间隙壁区上，该蚀刻停止区包含矽，且实质上没有锗；闸极介电质，在该蚀刻停止区上；闸极电极，在该闸极介电质上；以及至该闸极电极的一侧，且在该下层位障区、该间隙壁区、及该蚀刻停止区上之第一接触堆叠，该第一接触堆叠包含：高间隙壁区，在该蚀刻停止区上，该高间隙壁区包含锗化矽；掺杂区，在该高间隙壁区上，该掺杂区包含掺杂有硼的锗化矽；其中，该上层位障区为该第一接触堆叠的部分；以及接触区，在该上层位障区上。