在ＩＣＰ电浆处理腔室中用于高产出、基板极端边缘缺陷减少之单环设计

摘要

本新型的实施例提供了单环，该单环包括具有内部表面的圆环状之主体，该内部表面最接近该主体的中心线附近；该主体亦包括相对于该内部表面的外部表面。该主体具有底表面及顶表面，该底表面具有形成于其中的凹槽，该顶表面具有相邻于该外部表面的外部端点及相邻于斜坡的内部端点，该斜坡朝向该中心线往下延伸至该内部表面上的台阶。该主体具有设置于该内部表面上的唇部，该内部表面从该台阶下的垂直面向外延伸朝向该主体的该中心线，且该唇部系经配置以支撑其上的基材。该主体之尺寸设定使得小于大约2mm的缝隙形成于该基材与该台阶之该垂直面之间的该唇部上。

主权项

一种单环，该单环包括：一圆环状主体，该圆环状主体包括；一内部表面，该内部表面最接近该主体之一中心线附近；相对于该内部表面的一外部表面；具有一凹槽形成于其中的一底表面；具有一外部端点及一内部端点的一顶表面，该外部端点系相邻于该外部表面，且该内部端点系相邻于一斜坡，该斜坡延伸朝向该中心线向下至该内部表面上的一台阶；及设置于该内部表面上的一唇部，该内部表面系从该台阶下的一垂直面向外延伸朝向该环的该中心线，该唇部经配置以支撑其上的一基材，其中该主体之尺寸设定为定义该唇部上之小于大约2mm的一缝隙，该唇部位于该基材与该台阶之该垂直面之间。