发明名称 |
电晶体及显示装置 |
摘要 |
提供一种电晶体,具有有利的电气特性和高可靠性,及包括该电晶体之显示装置。该电晶体为底闸电晶体使用用于通道区之氧化物半导体而予形成。历经经由热处理之脱水或脱氢的氧化物半导体层被用做活动层。该活动层包括微晶化表面部分之第一区及其余部分之第二区。经由使用具有该等结构之该氧化物半导体层,改变为n型,归因于湿气进入该表面部分,或氧从该表面部分排除,并可抑制寄生通道之产生。此外,并可减少该氧化物半导体层与源极及汲极电极之间的接触电阻。 |
申请公布号 |
TWI467699 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW099130886 |
申请日期 |
2010.09.13 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 日本 |
发明人 |
山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 |
分类号 |
H01L21/77;H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/77 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
一种电晶体,包含:闸极电极层;该闸极电极层上之闸极绝缘层;该闸极绝缘层上之氧化物半导体层;该氧化物半导体层上之源极电极层及汲极电极层;及该源极电极层及该汲极电极层上之氧化物绝缘层,且在该氧化物半导体层上并与其接触,其中该氧化物半导体层包含表面部分之第一区及其余部分之第二区,其中,该第一区包含垂直于该氧化物半导体层之表面方向之c轴取向之微晶,及其中该氧化物半导体层之该第二区为非结晶,或由非结晶及微晶之混合物所形成,或由微晶所形成。 |
地址 |
日本 |