发明名称 |
电子零件及其制造方法 |
摘要 |
提供一种可抑制在各线圈导体周围旋转之磁通导致之磁气饱和之产生之电子零件及其制造方法。;准备具有第1之Ni含有率之绝缘体层19。在绝缘体层19上形成线圈导体18。在绝缘体层19上之线圈导体18以外之部分形成具有高于第1之Ni含有率之第2之Ni含有率之绝缘体层16。绝缘体层16,19及线圈导体18构成单位层17。积层单位层17及绝缘体层15以获得积层体12。之后,将积层体12烧成。在将积层体12烧成之步骤之后,在由绝缘体层19之线圈导体18从z轴方向之两侧挟持之第1部分之Ni含有率低于在绝缘体层19之第1部分以外之第2部分之Ni含有率。 |
申请公布号 |
TWI467604 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW099119393 |
申请日期 |
2010.06.15 |
申请人 |
村田制作所股份有限公司 日本 |
发明人 |
内田胜之 |
分类号 |
H01F17/00;H01F17/02 |
主分类号 |
H01F17/00 |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
一种电子零件之制造方法,其具有:形成积层体之步骤,该积层体内设有从积层方向俯视时复数个线圈导体在彼此重叠之状态下连接构成之螺旋状线圈,且系连续积层复数个第1单位层构成,该第1单位层系由具有第1之Ni含有率之第1绝缘体层,设于该第1绝缘体层上之该线圈导体,及具有高于该第1之Ni含有率之第2之Ni含有率、设于该第1绝缘体层上之该线圈导体以外之部分之第2绝缘体层构成;以及将该积层体烧成之步骤;在将该积层体烧成之步骤之后,在由该第1绝缘体层之该线圈导体从积层方向之两侧挟持之第1部分之Ni含有率低于在该第1绝缘体层之该第1部分以外之第2部分之Ni含有率。 |
地址 |
日本 |