发明名称 电浆蚀刻方法及电脑可读取之记忆媒体
摘要 具备以下工程:于处理容器10内搬入依序被形成有蚀刻对象之氧化膜、硬质遮罩层、图案化之光阻的基板,使其载置于上述下部电极的工程;对上述处理容器10内供给含有CxFy(其中x为3以下之整数,y为8以下之整数)、C4F8、稀有气体、O2之处理气体的工程;于上述上部电极34由第1高频施加装置48施加高频电力而产生处理气体之电浆的工程;对上述下部电极16由第2高频施加装置90施加偏压用高频电力的工程;及于上述上部电极34由直流电压施加装置50施加直流电压的工程。
申请公布号 TWI467650 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW096126183 申请日期 2007.07.18
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 上田幸生;佐佐木彦一郎
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种电浆蚀刻方法,系使用电浆蚀刻装置对基板上形成之氧化膜介由硬质遮罩层进行电浆蚀刻者,该电浆蚀刻装置为,在内部可真空排气之处理容器内设置下部电极作为基板载置台之功能,及和下部电极呈对向形成之上部电极,于上述上部电极或下部电极施加电浆产生用之相对高频之高频电力,于上述下部电极施加偏压用之相对低频之高频电力,于上述上部电极施加直流电压,使供给至上述处理容器内之处理气体电浆化而进行电浆蚀刻者;其特征为具备以下工程:于上述处理容器内搬入依序被形成有蚀刻对象之氧化膜、硬质遮罩层、图案化之光阻的基板,使其载置于上述下部电极的工程;对上述处理容器内供给含有CxFy(其中x为3以下之整数,y为8以下之整数)、C4F8、稀有气体、O2之处理气体的工程;于上述上部电极或上述下部电极施加高频电力而产生上述处理气体之电浆的工程;于上述下部电极施加偏压用高频电力的工程;于上述上部电极施加直流电压的工程,及在遮罩使用上述硬质遮罩层,对上述氧化膜进行电浆蚀刻的工程,对上述氧化膜进行电浆蚀刻之工程,系使用上述所产生之电浆而予以进行,CxFy/C4F8之比率系1~3的范围内。
地址 日本
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