沟槽型－垂直式双扩散金氧极体结构及其制造方法;STRUCTURE OF TRENCH-VERTICAL DOUBLE DIFFUSED MOS TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

一种沟槽型-垂直式双扩散金氧极体结构，包含：复数个沟渠平行形成于n-磊晶层内，沟渠氧化层形成于沟渠底部及侧壁，一导电性第一多晶矽层形成于渠内，再被一第一氧化层所填满；一平面闸极氧化层形成于平台上；一导电性第二多晶矽层形成于平面闸极氧化层上，第二多晶矽层及其下的平面闸极氧化层被图案化，以形成垂直于沟渠走向之复数列MOS结构；一内金属介电层形成于上述结果之半导体基板上，该内金属介电层更包含复数列分立的源极连接介层洞形成于其中，用以连接第一多晶矽层及双离子扩散的源极区；一第二金属层形成于n+半导体基板的背面做为汲极。在另一实施例中，闸极是由分立于平台的MOS所构成，所以有额外的闸极连接介层及其上的导线层。本发明也提供制程。