具弯曲状埋入式电极线之太阳能电池制作方法及其太阳能电池

摘要

一种具弯曲状埋入式电极线之太阳能电池制作方法及其太阳能电池，系以印刷方式形成遮罩，然后使用湿蚀刻或乾蚀刻在一矽半导体基板上蚀刻出弯曲状沟槽之方法；当操作时，其以印刷方式形成之遮罩作为阻挡蚀刻剂对覆盖遮罩之矽半导体基板区域蚀刻，并使未受遮罩覆盖之矽半导体基板区域受蚀刻剂蚀刻，以此产生具有图样之复数条沟槽，且该些沟槽为弯曲状。藉此，本发明以湿式或乾式蚀刻出前述弯曲状沟槽阵列，可较不易在制程上引起破片，且其深度系可较传统直线形沟槽为深，更能形成较长波长光能转换成之电子被电极收集之效率较大之情况，系一个可以量产化生产且能够产生高制成良率之制程方法，不仅具有制程容易、设备成本低，且更能制作具有较高性能之太阳能电池元件者。

主权项

一种具弯曲状埋入式电极线之太阳能电池制作方法，系使用耐蚀刻之材料，以印刷方式涂布于一矽半导体基板之前表面上，经固化后作为遮罩层(Mask)使受遮罩层覆盖之矽半导体基板区域不受蚀刻剂(Etchant)侵蚀，而仅对未受遮罩层覆盖之矽半导体基板区域进行蚀刻，藉此在该矽半导体基板之前表面产生复数条弯曲状沟槽，且该些复数条弯曲状沟槽在几何图形上系至少具有一条之轨迹不含有长度超过该矽半导体基板尺寸之最小径长五分之二之直线线段，而该最小径长系定义为该矽半导体基板前表面面积区域之重心至该矽半导体基板侧边距离最小值之两倍，又该些复数条弯曲状沟槽之线条，在几何图形上系由复数条直线线段构成，且在该矽半导体基板相邻导流排之间之至少一个1平方公分之正方形完整面积内系至少具有一条直线之转折，该转折系形成两直线线段夹角不属于160度与200度之间之角度；其中，上述矽半导体基板系掺杂有致使其具有特定电性之掺杂元素，且该些复数条弯曲状沟槽之深度系至少为该矽半导体基板厚度之六分之一，以及该些复数条弯曲状沟槽之开口宽度系至少为30微米(μm)。