| 摘要 |
本发明揭示一种奈米线制造方法，其系包括：形成复数个格栅图案于一格栅基底层之上；形成一牺牲层于形成有该格栅图案之上的该格栅基底层之上；形成一奈米线基底层于该牺牲层之上，藉此以产生一奈米线格栅结构；对该奈米线基底层进行湿蚀刻，以形成一奈米线；以及对该牺牲层进行蚀刻，以将该格栅图案与该奈米线分离。据此，该方法可具有下述优点：因一湿蚀刻时间系被调整，故可调整产生之该奈米线之一宽度及一高度；该奈米线可在室温下以一低成本来制造；该奈米线可被大量制造；以及，尽管是在大量制造的情形下，产生之该奈米线仍具有高一致性。 |
