| 发明名称 |
用于ＥＵＶ微影术之光学构件及用于ＥＵＶ微影术之附有反射层的基板之制造方法 |
| 摘要 |
提供一种经抑制Ru保护层的氧化引起反射率降低之EUV光学构件、及制造该EUV光学构件所使用之附有功能膜的基板、和该附有功能膜的基板之制造方法。;一种用于EUV微影术之附有反射层的基板，其系在基板上依照顺序形成有反射EUV光的反射层及保护该反射层的保护层而成之用于EUV微影术之附有反射层的基板，其特征为前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层、或Ru化合物层，并且在前述反射层与前述保护层之间，形成含有0.5～20at%的氧且含有80～99.5at%的Si之中间层。 |
| 申请公布号 |
TWI467318 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
| 申请号 |
TW099142123 |
申请日期 |
2010.12.03 |
| 申请人 |
旭硝子股份有限公司 日本 |
发明人 |
三上正树 |
| 分类号 |
G03F1/22 |
主分类号 |
G03F1/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种用于EUV微影术之附有反射层的基板，其系在基板上依照顺序形成有反射EUV光的反射层及保护该反射层的保护层而成者，其特征为前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层、或Ru化合物层，在前述反射层与前述保护层之间，形成有含有0.5~20at%的氧且含有80~99.5at%的Si之中间层。 |
| 地址 |
日本 |
