| 发明名称 |
场效型电晶体、半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
一种具备源电极、汲电极、闸电极、绝缘膜及含有晶质氧化物之半导体层，且源电极和汲电极以绝缘膜作媒介而与闸电极自对准所配置成之场效型电晶体。 |
| 申请公布号 |
TWI467761 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
| 申请号 |
TW098101545 |
申请日期 |
2009.01.16 |
| 申请人 |
出光兴产股份有限公司 日本 |
发明人 |
矢野公规;井上一吉;笘井重和 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种场效型电晶体，其具备源电极、汲电极、闸电极、绝缘膜及含有结晶质氧化物之半导体层，且源电极和汲电极系以绝缘膜作媒介而与闸电极自对准地配置，其中前述源电极和汲电极是与前述半导体层为相同组成的导电性非晶质氧化物膜。 |
| 地址 |
日本 |
