发明名称 半导体装置之制造方法及半导体装置;MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 本发明系一种半导体装置之制造方法及半导体装置,其课题为使半导体装置之性能提升。;解决手段系在半导体装置之制造方法中,于形成有绝缘膜(3a)于表面之半导体基板(1)上,形成金属膜(4a),在记忆体单元范围(1A)除去金属膜(4a),在周边电路范围(1B)之一部分残留金属膜(4a)。接着,于半导体基板(1)上形成矽膜(4b),在记忆体单元范围(1A)图案化矽膜(4b),在周边电路范围(1B),所残留之金属膜(4a)之外周部则呈经由矽膜(4b)加以被覆地,残留矽膜(4b),之后,在周边电路范围(1B),图案化矽膜(4b),金属膜(4a)及绝缘膜(3a),形成绝缘膜(3a)所成之绝缘膜部,和金属膜(4a)所成之金属膜部,和矽膜(4b)所成之导电膜部者。
申请公布号 TW201501304 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW103104069 申请日期 2014.02.07
申请人 瑞萨电子股份有限公司 发明人 西田征男;山下朋弘
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本