发明名称 |
半导体装置之制造方法及半导体装置;MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
本发明系一种半导体装置之制造方法及半导体装置,其课题为使半导体装置之性能提升。;解决手段系在半导体装置之制造方法中,于形成有绝缘膜(3a)于表面之半导体基板(1)上,形成金属膜(4a),在记忆体单元范围(1A)除去金属膜(4a),在周边电路范围(1B)之一部分残留金属膜(4a)。接着,于半导体基板(1)上形成矽膜(4b),在记忆体单元范围(1A)图案化矽膜(4b),在周边电路范围(1B),所残留之金属膜(4a)之外周部则呈经由矽膜(4b)加以被覆地,残留矽膜(4b),之后,在周边电路范围(1B),图案化矽膜(4b),金属膜(4a)及绝缘膜(3a),形成绝缘膜(3a)所成之绝缘膜部,和金属膜(4a)所成之金属膜部,和矽膜(4b)所成之导电膜部者。 |
申请公布号 |
TW201501304 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW103104069 |
申请日期 |
2014.02.07 |
申请人 |
瑞萨电子股份有限公司 |
发明人 |
西田征男;山下朋弘 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |