薄膜电晶体之半导体层用氧化物、薄膜电晶体及显示装置

摘要

本发明之薄膜电晶体之半导体层用氧化物中，构成氧化物的金属元素是由In、Zn、及Sn所组成，使上述氧化物成膜于薄膜电晶体之半导体层时的氧分压为15体积%以上，满足氧化物的缺陷密度为7.5×10 15 cm -3 以下、迁移率为15cm 2 /Vs以上。