发明名称 热处理方法及热处理装置
摘要 本发明提供一种热处理方法及热处理装置,其可提高进行复数次之闪光照射时之各次闪光照射对基板表面之加热效率。于对预备加热至500℃之半导体晶圆进行第1次之闪光照射而加热半导体晶圆之表面后,于该半导体晶圆之表面之温度与背面之温度相等前进行第2次闪光照射并重新加热半导体晶圆之表面。因于半导体晶圆之表面温度降低前进行第2次闪光照射,故即便可由第2次闪光照射所消耗之能量少,亦可提高各次闪光照射对半导体晶圆之表面之加热效率。
申请公布号 TWI467660 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW101100377 申请日期 2012.01.04
申请人 斯克林集团公司 日本 发明人 横内健一
分类号 H01L21/324;H01L29/78 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种热处理方法,其特征在于:其系藉由对基板照射n次(n为2以上之整数)闪光而加热该基板者;且于对基板进行第i次(i为(n-1)以下之自然数)之闪光照射而加热上述基板之表面后,于上述基板之表面之温度与背面之温度相等前进行第(i+1)次之闪光照射而重新加热上述基板之表面;藉由利用闪光灯使电容器中蓄积之电荷放电而进行第i次之闪光照射;并且藉由利用上述闪光灯使残留于上述电容器中之电荷放电而进行第(i+1)次之闪光照射;将自上述闪光灯进行1次闪光照射时所消耗之能量,设为于进行最初之闪光照射前蓄积于上述电容器中之能量除以(n+1)所得之值以下。
地址 日本