| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法以及电源供应器 |
| 摘要 |
一种半导体装置包括：一半导体晶片，包括一氮化物半导体层结构，且该氮化物半导体层结构包括一载子传输层及一载子供应层；一第一树脂层，系在该半导体晶片上，且该第一树脂层包括一耦合剂；一第二树脂层，系在该第一树脂层上，且该第二树脂层包括一界面活性剂；及一密封树脂层，系用以密封具有该第一树脂层及该第二树脂层之该半导体晶片。 |
| 申请公布号 |
TWI467760 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
| 申请号 |
TW100148875 |
申请日期 |
2011.12.27 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 日本 |
发明人 |
冈本圭史郎;今田忠紘;今泉延弘;渡部庆二 |
| 分类号 |
H01L29/778;H01L21/336;H02M7/53862 |
主分类号 |
H01L29/778 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包含：一半导体晶片，包括一氮化物半导体层结构，且该氮化物半导体层结构包括一载子传输层及一载子供应层；一第一树脂层，系覆盖在该半导体晶片上，且该第一树脂层包括一耦合剂；一第二树脂层，系覆盖在该第一树脂层上，且该第二树脂层包括一界面活性剂；及一密封树脂层，系用以密封具有该第一树脂层及该第二树脂层之该半导体晶片。 |
| 地址 |
日本 |
