应用于氮化镓发光二极体之雷射尖峰退火

摘要

本发明揭示一种在形成氮化镓(GaN)发光二极体(LED)时执行雷射尖峰退火(LSA)之方法以及使用LSA所形成之GaN LED。一例示性方法包含在一基板顶部形成具有夹着一作用层之一n型GaN层与一p型GaN层的一GaN多层结构。该方法亦包含藉由用一雷射束扫描在该p型GaN层上方而执行LSA。该方法进一步包含在该GaN多层结构之顶部形成一透明导电层，且将一p型接点添加至该透明导电层及将一n型接点添加至该n型GaN层。所得GaN LED具有增强之输出功率、更低之接通电压及减小之串联电阻。

主权项

一种形成氮化镓(GaN)发光二极体(LED)之方法，其包括：在一基板顶部形成具有夹着一作用层之一n型GaN层与一p型GaN层的一GaN多层结构，其中该p型GaN层包括键结氢的复数掺质；藉由用一雷射束扫描在该p型GaN层上方而于至少该p型GaN层执行雷射尖峰退火(LSA)以打断氢键以及激活位于该p型GaN层中的该些掺质；在该GaN多层结构之顶部形成一透明导电层；及将一p型接点添加至该透明导电层与将一n型接点添加至该n型GaN层。