发明名称 |
半导体装置以及制造半导体装置的方法 |
摘要 |
本发明系用于减少半导体装置之缺陷,诸如因外部应力及静电放电之形状及特征缺陷。本发明系用于提供高度可靠的半导体装置。此外,本发明系用于藉由减少上述之制造过程中的缺陷而提高半导体装置之制造良率。本发明之半导体装置包括由对抗外部应力之耐冲击层所夹置的半导体积体电路以及扩散冲击之冲击扩散层以及覆盖半导体积体电路的导电层。利用导电层覆盖半导体积体电路,可预防因半导体积体电路之静电放电之静电崩溃(电路故障或半导体元件损坏)。 |
申请公布号 |
TWI467727 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW098115008 |
申请日期 |
2009.05.06 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 日本 |
发明人 |
及川欣聪;江口晋吾;山崎舜平 |
分类号 |
H01L23/58;H01L21/31;G06K19/077 |
主分类号 |
H01L23/58 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
一种半导体装置,包含:一导电层;该导电层上之第一层,该第一层包括一第一有机树脂及一第一纤维体;该第一层上之第二层,该第二层包括一第二有机树脂及一第二纤维体;以及介于该第一层与该第二层之间的一半导体积体电路,其中该导电层及该半导体积体电路系彼此电性绝缘。 |
地址 |
日本 |